Южнокорейская компания Samsung анонсировала выпуск чипа памяти LPDDR4 DRAM плотностью 12 Гбит. Новые микросхемы памяти могут поместиться по две или четыре штуки в одном корпусе, обеспечив тем самым создание модуля оперативной памяти объемом 3 и 6 ГБ соответственно. При этом размер последнего модуля не превысит габаритов 3-гигабайтной памяти в современных флагманах.

Это позволит не экономить на оперативной памяти во все сокращающемся пространстве внутри корпуса современных девайсов. Новая память Samsung будет производиться по 20-нанометровому техпроцессу. Она оказалась на 30% быстрее 8-гигабитных микросхем памяти LPDDR4 и в два раза быстрее DDR4 DRAM для компьютеров. При этом энергопотребление удалось снизить на 20%.

Samsung заявляет, что первые флагманы в мобильной электронике с 6 ГБ оперативной памяти дебютируют уже в следующем году. Не исключено, что они найдут применение в другой технике — компьютерах, бытовых приборах, автомобилях.

Источник